英诺赛科（苏州）半导体有限公司成立于2017年12月，公司坐落于江苏省苏州市汾湖高新技术开发区，注册资本20亿元人民币，公司以其雄厚的技术实力致力于打造一个集科研、实验、生产为一体的半导体晶圆片及芯片公司。
公司的核心业务是以宽禁带半导体氮化镓（GaN）为主的电力电子器件全产业链产品，打造中国第一条8英寸氮化镓工艺器件生产线。
产品广泛地应用于5G基站、无人驾驶、手机、车载设备、医疗设备、逆变器、节能电机、大型数据中心、电网、电动汽车等领域。
公司所拥有的8英寸硅基氮化镓外延技术，能生长出翘曲度低、缺陷及位错密度低、漏电流小的晶圆，且碎片率大幅度降低。
公司自行开发和设计的氮化镓功率器件已经达到国际先进水平，并广泛应用于新能源、信息与通信以及智能工业等领域。
英诺赛科集合了国内外半导体精英，形成了国际化的管理团队，致力于打造中国功率半导体国际一流品牌，为国家半导体腾飞做出贡献。

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