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2019年
11月瞻芯电子携SiC MOSFET栅极驱动芯片亮相中国电源学会(深圳)展会
CPSSC作为我国开关电源行业最有影响力的大型学术年会,吸引了众多的展商和观众参与。上海瞻芯电子科技有限公司(以下简称“上海瞻芯电子”)携带最新量产的两款碳化硅/硅 MOSFET/IGBT驱动芯片产品、多款碳化硅MOSFET和SBD功率器件工程样品、碳化硅功率模块工程样品以及相应的参考设计,首次亮相“CPSSC2019” 学术年会暨展览会,打开了通往全国开关电源行业特别是华南地区电源企业的市场之门,也获得了行业用户的密切关注与广泛赞誉。借此参展机会,上海瞻芯电子拜访了多家深圳当地的知名开关电源模块研发企业,商讨携手推进全碳化硅方案的多领域开关电源解决方案,也获得更多碳化硅功率器件和驱动芯片的合作机会。
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2019年
9月碳化硅MOSFET可以大幅提升大功率开关电源(SMPS)的开关性能,为系统提供更高的效率,更快的开关速度和更大的功率密度。同时对配套的栅极驱动芯片也提出了新的挑战。针对这一全新的课题,上海瞻芯电子科技有限公司(以下简称“上海瞻芯电子”)推出了已经通过JEDEC认证的碳化硅MOSFET栅极驱动芯片系列产品。
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2018年
12月瞻芯电子SiC MOSFET驱动IC流片结束,功能验证完成。
瞻芯电子SiC MOSFET驱动IC流片结束,功能验证完成。
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2018年
12月瞻芯电子应邀出席2018中国宽禁带功率半导体技术论坛及产业发展峰会,并发表主旨演讲
12月7日,应中国宽禁带半导体联盟协会的邀请,上海瞻芯电子公司赴济南,参加2018年中国宽禁带功率半导体技术论坛及产业反正峰会,并作题为《6英寸碳化硅MOSFET晶圆制造的挑战和机遇》的特邀报告。
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2018年
11月“1200V大电流SiC MOSFET功率芯片以及模块产品开发”项目喜获临港智能制造专项支持
“1200V大电流SiC MOSFET功率芯片以及模块产品开发”项目喜获2018年度(下半年)临港地区智能制造产业专项资金支持。
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2018年
10月SiC MOSFET驱动IC设计完成开始流片
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2018年
8月650V SiC SBD设计完成开始流片
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2018年
7月上海瞻芯电子科技公司召开首次全体股东大会
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2018年
5月瞻芯电子SiC MOSFET第一轮流片成功,这也是中国第一批国产6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圆。
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2018年
3月 3月29日,浦东新区区委常委、临港管委会党组书记、常务副主任陈杰到我司调研,勉励瞻芯电子团队立足临港、打造国内领先世界一流的碳化硅功率半导体产品线。
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2018年
1月公司正式入驻上海临港海洋科技创新中心办公楼,并搭建多功能测试实验室。
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2018年
1月SiC SBD首轮流片结束,基本性能符合预期;
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2017年
11月上海瞻芯电子公司申报2017年第二批临港智能制造专项获批
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2017年
7月公司由海归博士领衔的海内外资深的工艺器件、电路设计、系统应用和市场推广方面核心团队,致力于开发碳化硅基功率集成电路和应用模块的产品,为电源和电驱动系统的小型化、高效化和轻量化,提供完整的系统应用解决方案。 公司坚持以客户和市场为导向,以诚信、包容、专注、执着为工作理念,持续创新,放眼世界。力争以宽禁带半导体对功率器件的革新影响为契机,从Fabless发展成为世界一流的高性能功率和模拟电路及解决方案的IDM,以高质量的产品和服务永无止境地改善人类生活。
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