SiFotonics Technologies Co., Ltd. 成立于2006年底，目前投资额近5000万美元，公司在波士顿、北京、上海分别设立了研发中心，现有员工约100余人。SiFotonics核心技术团队汇集了来自MIT、清华大学、复旦大学的多名业界精英，投身于硅基光电产品前沿技术的开发与应用。

SiFotonics多年专注于CMOS工艺的硅基光电产品及相关集成电路芯片的设计与开发，通过技术创新为客户提供高性价比的光电器件。公司产品主要涉及CMOS工艺Ge-Si材料2.5G/10G/25G 高速光探测器及雪崩探测器（及阵列），CMOS工艺10G/25G Modulator，CMOS工艺2.5G/10G TIA及10G MMF SFP+ SoC芯片，10G高速HDMI SerDes等集成电路芯片，可广泛应用于传统光通信市场、数据中心、FTTx、HDMI远传等带宽需求量快速增长的市场。

2011年底，SiFotonics投资3百万美元，与Fab厂商合作开发了全球首条CMOS工艺、Ge-Si材料光器件量产线，为后续大规模市场推广及量产化奠定了坚实的基础。目前，SiFotonics APD及相关产品已通过多家通信设备厂商的测试认证。

2014年，SiFotonics 的Ge/Si 产品线通过5000小时可靠性验证，开始批量出货。

2015年，SiFotonics 开始演示先进的100G硅基光电集成芯片，面向数通及相干通信等应用。