苏州晶湛半导体有限公司是由业界公认的硅上氮化镓外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办，公司坐落于江苏省苏州工业园区苏州纳米城，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发及产业化。2013年，晶湛半导体在苏州纳米城建设了一条国际先进的GaN外延材料生产线。2014年，晶湛半导体发布了200mmSi衬底上高压GaN HEMT材料，产品技术领先于国际水平。公司在该领域已掌握多项核心技术, 拥有自主知识产权，自晶湛半导体成立以来，已累计申请国内外发明专利百余项。产品各项性能指标均达到国际领先水平，突破了GaN产业链发展瓶颈，实现了具有核心自主知识产权的大尺寸Si衬底GaN高压电力电子材料的研发以及量产能力。
晶湛半导体是国际上为数不多的氮化镓电力电子材料供应商之一，可以批量生产200mm GaN-on-Si高压外延材料。研发方面，晶湛半导体与国内外一流院校和研究所开展了广泛合作，项目交流等 。此外，晶湛半导体还提供性能优良的GaN-on-SiC，GaN-on-Sapphire外延片，并且可根据客户需求进行尺寸定制。产品囊括了工业电子、消费电子、太阳能逆变器、电动/混合动力汽车电子等应用领域，拥有广阔的市场前景。
公司已荣获“国家高新技术企业”、“江苏省民营科技企业”、“江苏省科技型中小企业”、“江苏省百件优质发明专利”、“苏州市技术发明一等奖”、“苏州工业园区专利授权十佳企业”等荣誉。此外，晶湛半导体已入选江苏省科技成果转化项目及苏州市创新发展十项重点工程，并参与国家科技部十三五重点研发项目。晶湛半导体研发、生产的GaN电力电子材料将大大推动第三代半导体产业的发展。