苏州能讯高能半导体有限公司
中国氮化镓电子材料与器件产业的先行者
苏州能讯高能半导体有限公司是由获得中国第一批“千人计划”支持的海外归国人员创办的高新技术企业。公司创立于2007年,目前注册资本为2.79亿元,公司总部位于江苏省苏州市昆山国家高新区晨丰路18号,并在西安、南京设立了研发中心。公司在苏州市昆山高新区建设了中国第一家氮化镓电子材料与器件工厂,该工厂占地55亩,第一期投资为3.8亿元,建筑面积1.3万平方米,设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片,其技术力量和生产规模位于国际前列。
能讯半导体采用了整合设计与制造(IDM)的商业模式,率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件的研发与产业化,其产品应用涵括了射频电子和电力电子两大领域。公司的微波器件具有高电压、高功率、耐高温、宽频及高增益特点,在无线通讯、雷达和宽频带通信等领域有着巨大的应用前景。公司的电力电子器件产品具有高效率、高速度、高结温的特点,在工业控制、电源、电动汽车以及太阳能逆变器领域应用广泛,能够有效降低电能转换系统损耗50%以上,同时成倍地减小设备体积,减少铜等贵重原材料消耗,其耐高温的特性也为节约重量、减少体积,特别适用于环境恶劣的场合。
能讯公司是国际上为数不多的能够实现材料、工艺、器件整合的氮化镓电子器件公司。在中国一直是产业的先行者,曾经在2009年生产出第一个2000V高压开关功率器件产品,并在2010年完成了中国第一个通讯基站用120W氮化镓功放芯片的开发,2014年全球发布业界领先的量产氮化镓射频微波器件。能讯公司保持了产品与技术与国际先进水平的同步。同时利用本土优势,能讯公司能及时响应国内厂商的需求,迅速开发出有针对性的产品。并且帮助客户加强对器件更深的理解,有助于客户深挖器件潜力,开发出更有竞争力的设备产品。
能讯半导体自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术,已拥有41项中国发明专利和14项国际发明专利,其技术水平和产品指标均已达到国际先进水平。能讯的核心团队有着丰富的海外从业经验,在国际氮化镓技术领域享有盛誉,目前仍保持着众多氮化镓技术的世界纪录。公司有员工170余人,50%以上拥有本科学历,其中包括海外归国博士7名、硕士40余名。公司先后承担了国家“核高基”重大专项、科技部863重大项目、中小企业创新基金以及江苏省重大科技成果转化项目等等省市级重大科技产业项目。公司荣获了由中国半导体行业协会等三家行业协会与主流媒体评选的“第八届(2013年度)中国半导体创新产品与技术”大奖。
在保持技术领先的同时,能讯半导体还将利用本土优势,建立及时响应、深度协助、提升竞争力的客户服务标准,竭诚服务客户。
能讯以成为国际领先的高能半导体供应商为使命。
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2014年
3月中国电力电子产业网讯:日前,国内首家商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业,苏州能讯高能半导体有限公司(Dynax Semiconductor Inc.)发布了新型氮化镓微波功放晶体管产品。这款产品将助力通讯系统设备制造商,针对当下热门的LTE移动通讯市场,提出更高效、更具性价比的解决方案。 与以往的LDMOS和GaAs相比,GaN功放管在功率密度、工作带宽和效率方面具有无与伦比的优势。这也使得GaN在移动互联网、卫星通讯、有线电视等等领域有着良好的市场前景,被业界认为是射频功率器件的未来。 能讯半导体总裁张乃千博士指出:“公司一直致力GaN微波功放晶体管的研发与制造,我们相信GaN功放管的宽频带、高线性度和高效率等优异特性,能够为客户带来价值。”能讯半导体本次推出的这款产品为DX1H2527150F内匹配微波晶体管,其工作频率范围为2.5—2.7GHz,供电电压为48V,饱和功率为200瓦。在WCDMA(带DPD)测试条件下,其输出功率达40W,ACLR小于-50dBc,效率高达33%。 该款产品是针对4G移动通讯的LTE基站应用而量身打造的,拥有杰出的线性度、效率和
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2013年
8月公司量产产品达标
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2013年
4月能讯FAB完成量产通线
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2012年
10月苏州昆山第一规模工厂建成
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2009年
6月生产出第一个2000V高压开关功率器件产品
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2006年
9月中国第一家第三代半导体氮化镓功率器件制造商
- 消费电子,汽车电子,工业控制
- 有晶圆半导体公司(IDM)
- 100-200人
- 苏州
张乃千
总裁
张乃千,男,清华大学电子工程学士学位,微波专业,加州大学电子与计算机工程博士学位,半导体专业,是世界上最早研究氮化镓(GaN)电子器件的人员之一,是美国电子工程师协会(IEEE)会员,及其核心杂志IEEE EDL的审稿人。
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