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磁宇信息

上海磁宇信息科技有限公司是一家致力于高端研发、制造生产,具有国际先进技术的新型磁性随机存储器(MRAM)-通用记忆芯片的高科技集成电路企业,由美国硅谷顶级磁性存储器的创业团队回国后,在著名风险投资基金和上海市政府的支持下创立。

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  • 2018-11-21

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  • 基本信息
    • 智能硬件,消费电子,移动手持
    • 有晶圆半导体公司(IDM),芯片设计服务(Design Service)
    • 0-50人
    • 上海
    管理团队

    郭一民

    总裁

    郭一民博士本科毕业于北京大学物理系磁性材料专业,在中科院理论物理所研读凝聚态电子学物理,之后赴美留学,获美国明尼苏达大学电子工程系博士学位(磁性材料与设计专业),并获该年度电子工程系唯一的优秀博士论文奖学金,九零年起曾参与3M公司磁性器件设计。郭博士具有23年的高级管理及研发经验,是磁性纳米电子产品的国际著名专家。先进磁存储公司(HEADWAY)的创始工程师、公司高级总监、首席专家,并在2000年IPO及TDK成功合并中,被董事会公开确认为八位公司最重要的人物之一。曾协助创办最早开发MRAM的应用自旋电子科技公司ASI,并成功被收购。享有国际盛名的TDK集团公司MRAM部门(子公司)主要创始人及研发总监,领导STT-MRAM应用开发。位于美国硅谷的新型存储器开发商-T3MEMORY公司的共同创建人。持有近90项已被美国国家专利局批准的的发明专利,以及超过50多项待批准的美国专利。

    肖荣福

    副总裁

    肖荣福毕业于美国犹他大学物理系,化学物理专业博士学位,拥有20多年高新材料开发半导体工艺的丰富经验,及10余年的磁性随机存储芯片产品开发的成功经验,掌握MRAM制造高级RIE工艺达到国际领先水平。已有两项美国专利和40多项中国专利。作为运营长,负责公司的MRAM, 特别是pSTT-MRAM的整个工艺的开发,带领工艺组的工程师们,利用我们从德国购买的最先进的PVD镀膜设备,每天24小时,一周7天,对MRAM中最关键的MTJ(磁隧道极)多层膜进行了非常细致的研究,从如何提高MTJ中MgO氧化膜的平整度(方法见上面的专利#2),磁参考层和记忆层的热稳定性,以及种子层对磁电阻的影响,制做了上千种样品,获得了非常稳定的MTJ,在RA=10附件,TMR超过180%,记忆层的Hc>500 Oe (比ANELVA的Hc大5倍之多)。与此同时,我们在MRAM刻蚀工艺上也取得不小的进步。我们利用国外(美国-CNSE)的光刻和磁刻蚀设备,对MRAM 测试芯片进行了系统的实验,在45纳米的节点基础上,获得了CD均匀度优于2纳米的MTJ记忆单元组,并且对侧壁上对MTJ多层膜的保护

    戴瑾

    产品副总裁

    戴瑾博士,上海磁宇公司新产品副总裁,1985年毕业于北京大学物理系,通过李政道教授主持的CUSPEA项目留学美国。就读于德克萨斯大学奥斯汀分校,加入诺贝尔奖得主温伯格教授研究小组,从事高能物理理论研究,1990年获博士学位。从事物理学研究期间,曾发表被引用数千次的重要学术论文十余篇。自上个世纪九十年代起,戴博士曾多年在美国高通公司任职高级IC架构工程师,工作领域涉及IC设计、通讯、嵌入式软件。随后在TCL、中星微电子等国内外一流公司工作,领导大型研发团队,负责消费性电子产品的开发。 拥有十余项已授权的发明专利,以及七十余项发明专利申请。戴博士从工作中积累了丰富的企业管理和创业的经验。

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