加入中国顶尖的半导体行业创业公司,从事最具创新性的技术研发。与公司一起成长,与团队一道齐心协力实现美丽的“中国梦”。
MRAM是后摩尔时代的新兴内存技术,具备广泛的应用前景和颠覆半导体产业的潜质。
磁宇是国内第一家MRAM产品研发制造公司,拥有国内唯一的完整PSTT-MRAM材料薄膜制造设备和测试设备。正在筹建12吋专用芯片制造的中试线, 并进行电路设计和应用方面的开发工作。
磁宇的管理团队成员均是拥有国际知名企业工作经验的专家。公司拥有多名博士带领研发工作。
公司自成立以来,获得了国家和上海市、嘉定区政府的重视。公司正在承担国家核高基重大专项的任务。公司获得了各项中央及地方的人才计划,包括千人计划、嘉定区创新创业和急需紧缺人才以及嘉定区青年领军人才计划的支持。
你必须有创新的激情、创业的精神、学习的能力。磁宇将给你发展的机会。
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2017年
10月2017年公司成功融资达1.5亿。
- 智能硬件,消费电子,移动手持
- 有晶圆半导体公司(IDM),芯片设计服务(Design Service)
- 0-50人
- 上海
郭一民
总裁
郭一民博士本科毕业于北京大学物理系磁性材料专业,在中科院理论物理所研读凝聚态电子学物理,之后赴美留学,获美国明尼苏达大学电子工程系博士学位(磁性材料与设计专业),并获该年度电子工程系唯一的优秀博士论文奖学金,九零年起曾参与3M公司磁性器件设计。郭博士具有23年的高级管理及研发经验,是磁性纳米电子产品的国际著名专家。先进磁存储公司(HEADWAY)的创始工程师、公司高级总监、首席专家,并在2000年IPO及TDK成功合并中,被董事会公开确认为八位公司最重要的人物之一。曾协助创办最早开发MRAM的应用自旋电子科技公司ASI,并成功被收购。享有国际盛名的TDK集团公司MRAM部门(子公司)主要创始人及研发总监,领导STT-MRAM应用开发。位于美国硅谷的新型存储器开发商-T3MEMORY公司的共同创建人。持有近90项已被美国国家专利局批准的的发明专利,以及超过50多项待批准的美国专利。
肖荣福
副总裁
肖荣福毕业于美国犹他大学物理系,化学物理专业博士学位,拥有20多年高新材料开发半导体工艺的丰富经验,及10余年的磁性随机存储芯片产品开发的成功经验,掌握MRAM制造高级RIE工艺达到国际领先水平。已有两项美国专利和40多项中国专利。作为运营长,负责公司的MRAM, 特别是pSTT-MRAM的整个工艺的开发,带领工艺组的工程师们,利用我们从德国购买的最先进的PVD镀膜设备,每天24小时,一周7天,对MRAM中最关键的MTJ(磁隧道极)多层膜进行了非常细致的研究,从如何提高MTJ中MgO氧化膜的平整度(方法见上面的专利#2),磁参考层和记忆层的热稳定性,以及种子层对磁电阻的影响,制做了上千种样品,获得了非常稳定的MTJ,在RA=10附件,TMR超过180%,记忆层的Hc>500 Oe (比ANELVA的Hc大5倍之多)。与此同时,我们在MRAM刻蚀工艺上也取得不小的进步。我们利用国外(美国-CNSE)的光刻和磁刻蚀设备,对MRAM 测试芯片进行了系统的实验,在45纳米的节点基础上,获得了CD均匀度优于2纳米的MTJ记忆单元组,并且对侧壁上对MTJ多层膜的保护
戴瑾
产品副总裁
戴瑾博士,上海磁宇公司新产品副总裁,1985年毕业于北京大学物理系,通过李政道教授主持的CUSPEA项目留学美国。就读于德克萨斯大学奥斯汀分校,加入诺贝尔奖得主温伯格教授研究小组,从事高能物理理论研究,1990年获博士学位。从事物理学研究期间,曾发表被引用数千次的重要学术论文十余篇。自上个世纪九十年代起,戴博士曾多年在美国高通公司任职高级IC架构工程师,工作领域涉及IC设计、通讯、嵌入式软件。随后在TCL、中星微电子等国内外一流公司工作,领导大型研发团队,负责消费性电子产品的开发。 拥有十余项已授权的发明专利,以及七十余项发明专利申请。戴博士从工作中积累了丰富的企业管理和创业的经验。
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