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发布时间: 2021-03-22发布
负责IGBT，MOS产品设计，负责文献及专利整理及同业基准跳叉，TCAD仿真（包括旗舰结构及工艺流程仿真）负责生产工艺开发，产品试验规划等负责晶圆 及产品封装的检测负责产品性能测试，失效分析任职要求拥有微电子/电子工程学硕士或者博士学历；或者拥有功率半导体研发经验拥有功率半导体器件（如二极管，MOSFET,IGBT等）拥有TCAD仿真，晶圆加工，元器件封装及测试相关知识
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南山科技园
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