高级IGBT开发工程师
- 30万-40万/年
- 上海
- |
- 3年以上
- |
- 本科
- |
- 全职
职位诱惑: 年终奖金,五险一金,福利好,老板nice,年底双薪,技术领先,成长空间大,通讯津贴,交通补助,节日礼物,技能培训
发布时间: 2021-05-26发布
职位描述
岗位职责:1. 根据公司的新产品开发计划,独立负责IGBT芯片的设计开发; 2. 负责制定实施IGBT产品的开发计划,保证计划的顺利完成; 3. 负责相关IGBT产品的设计文件,工艺文件和封装测试文件的拟定; 4. IGBT芯片的器件仿真,版图设计,流程制定以及测试规范的制定; 5. 和晶圆厂,封装厂进行沟通和协调工作; 6. 完成上级交付的其他任务。
任职资格:1. 掌握IGBT的器件原理和设计方法; 2. 掌握半导体器件的制造过程和方法; 3. 掌握主流的TCAD工具如Sentaurus, Cadence的应用方法; 4. 掌握DOE,SPC,FMEA和FA相关知识和应用; 5. 掌握IGBT电气参数的测试方法; 6. 微电子或相关专业本科或硕士以上毕业,3年以上功率器件产品设计开发经验。