Memory开发工程师

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15万-30万/年
成都
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工作经验不限
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本科
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全职

职位诱惑: 年终奖金,五险一金,福利好,老板nice,技术领先,成长空间大,交通补助,节日礼物,技能培训,免费班车

发布时间: 2020-07-06发布

职位描述

工作职责：
• 对Finfet工艺的memory架构和实现方法进行评估和优化
• 进行嵌入式Memory IP 开发，如SRAM/RF/TCM/ROM等
• 进行嵌入式Memory 阵列的全定制开发
• 仿真、验证并分析Memory的功能、性能
• 设计Memory的 verilog功能模型并进行验证
• 进行IP 特性化分析及模型到硬件的参数校准

任职要求：
• 熟悉晶体管级电路设计，包括SRAM/TCAM/ROM等
• 精通先进半导体工艺制程和器件物理
• 熟悉定制设计流程和相关EDA工具应用,包括Virtuoso/Calibre/Hspice/Spetre/Liberate
• 具备行为级模型仿真（Verilog等）、电路分析技能优先
• 具备FinFET制程经验优先
• 良好的沟通学习能力
• 微电子、电子工程、计算机或相关专业毕业，本科4年/研究生2年以上相关工作经验