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发布时间: 2020-03-04发布
职位描述
岗位分类：
芯片设计工程师（IGBT、MOSFET等）、宽禁带器件研发工程师（SiC、GaN等）、芯片仿真工程师、功率IC研发工程师、MEMS研发工程师、芯片工艺工程师
r任职要求：
u 硕士研究生/本科生 10名以上
ü 具备半导体物理、固体物理等相关理论知识；
ü 自我鞭策能力强，具备良好的创新意识和结构化思维；
ü 优秀的英文听说读写能力。
u 博士生 8名以上
ü 具备功率半导体器件相关项目、课题研究经验；
ü 具备SiC、GaN等第三代半导体材料及器件、电力电子或微电子器件及功率相关的系统知识储备；
ü 熟悉国内外功率半导体产品、技术及未来应用的发展趋势；
ü 具备创新精神，有良好的沟通表达能力及英文听说读写能力（英语六级及以上）。
职位发布者
湖南国芯半导体科技有限公司
HR
4天
简历处理用时
100%
沪公网安备31011502017136号