Memory Design Engineer

职位描述
Memory Design Engineer is working on cutting-edge embedded Memory IP development for GLOBALFOUNDRIES worldwide clients, including SRAM, RF, TCAM, ROM, etc. By employing the industry leading tools, state of the art methodology, and innovative semiconductor leading technologies including 14nm and beyond, you will be participating in:
 Design full custom circuits in the embedded memory arrays
 Simulate, verify and analyze memory functionality, performance and statistical margin
 Build functional Verilog model and perform verification
 IP characterization and model-to-hardware correlation
 Evaluate and optimize memory architecture and methodology in cutting-edge technology

技能要求

1. ME/EE or background in related areas.
2. Experience in one or more of the following embedded or standalone memory products/circuits: SRAM, DRAM, Flash, RF, TCAM, ROM, etc.
3. Familiar with transistor level circuit: SRAM, DRAM, Flash, RF, TCAM, ROM, etc.
4. Good understanding of advanced semiconductor technology process and device physics.
5. One or more following skills is plus: behavioral (Verilog, etc) model verification, statistical circuit analysis and simulation, programming language (perl, tcl, python, etc)
6. Good English skills, communication skills, and willingness to work with a global team. Skill in other languages is a plus.
7. Good learning competency, self-motivated, and ability to work in diverse areas in a flexible and dynamic environment.